利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结......

该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

从理论上计算生长在GaAs衬底上的InxGa1-xAs合金材料的带隙变化,分析应变对其能带结构的影响。结果表明,InxGa1-xAs所受应变与In组......

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使用低压金属有机化学气相淀积（LP-MOCVD）技术,在InP（100）衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射......

使用低压金属有机化学气相淀积（LP-MOCVD）技术,在InP（100）衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射......

对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0-1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还......

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长（室温下50%截止波长为2.4μm）InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件......

三元化合物InGaAs是比较重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，它可以由InAs和GaAs两种材料以任何配比形成，晶格常数随组分近似为线性变化，可以从G......

作为全固态微光器件,In x Ga1-x As器件通过调节材料组分x值,其响应波段覆盖夜天光辐射的主要波段,对夜天光的能量利用率高。加之......

采用全固态微光成像器件是未来微光成像的发展趋势。介绍了2种全固态微光器件EMCCD、InxGa1-xAs,分析了其成像性能,描述了其研究现......

对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0~1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还......

三元化合物InxGa1-xAs作为第二代半导体材料的代表,以其优异的光学和电学性能成为当今重要的光电子和电子器件的基础材料之一。Inx......